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BKT-2H(X)型薄膜材料磁電阻特性測試儀 

BKT-2H(X)型薄膜材料磁電阻特性測試儀

BKT-2H(X)型薄膜材料磁電阻特性測試儀

關鍵詞: 半導體,磁電阻,薄膜測量,巨磁

一、儀器簡介及原理
    用巨磁電阻和各向異性磁電阻磁性薄膜材料制作計算機硬盤讀出磁頭和各種弱磁傳感器，已經廣泛應用于信息技術、工業控制、航海航天導航等高新技術領域。該儀器選用高精度電阻測量專用儀表和數控掃描電源，外部連線簡單直觀，可連接計算機自動采集和顯示數據，具有牢固可靠、操作簡便等優點，非常適合于大專院校實驗教學和科研使用.

二、儀器用途
    通過該儀器可以完成以下測試工作：
    (1)金屬、半導體、導電高分子薄膜(或塊體)電阻率的測量
    (2)金屬薄膜材料電阻率的測量(最大厚度0.2毫米);金屬塊體材料電阻率的測量(最大厚度3毫米)
    (3)磁性合金薄膜的磁電阻測量
    (4)鐵磁/非磁性/鐵磁三層或多層薄膜的磁電阻測量
    (5)自旋閥型巨磁電阻薄膜、隧道結型巨磁電阻薄膜的磁電阻測量

   (6) 霍爾效應傳感器, 各向異性磁電阻傳感器, 巨磁電阻傳感器, 隧道磁電阻傳感器薄膜的磁電阻測量

三、技術指標

1、測試方式:探針組件
    2、系統主機:30A 
    3、直流數字電壓表具有6位半字長，精度高
    4、自編的數據采集軟件，操作界面友好

5、亥姆霍茲線圈:最大磁場強度400Oe,最大可以達到4000 Oe 無剩磁。

6、線圈電源:10A

    7、系統主機:30A

8、教學中AMR、GMR、TMR各類樣品的磁電阻特性測試。

9、輸入信號動態范圍為±30 dB；

10、輸出電平靈敏度為30mV / dB；

11、輸出電流為8mA；轉換速率為25 V /μs

12、相位測量范圍為0~180°