１．效率高（可達 20 ％），耗電少。  
    ２．壽命長：有些光電量測廠商把量測設備中激光的光源由最初的 He-Ne激光改成二極管激光，以取得最佳的機器壽命（ He-Ne 激光壽命一般為 10^4 HR，而二極管激光壽命為 10^5HR ，相差十倍），特別適合現場長時間的操作。半導體激光打標機一開機很快便穩定下來，又很合適用電路調制其輸出，比如可使用脈波調制法量測距離（而 He-Ne 激光必須開機三十分鐘后才穩定下來， 這點是萬萬比不上半導體激光了）。
    ３．瞬間即可達到開關的作用，適宜通信用途。并且半導體激光打標機一開機很快便穩定下來，又很合適用電路調制其輸出，比如可使用脈波調制法量測距離（而 He-Ne 激光必須開機三十分鐘后才穩定下來，這點是萬萬比不上半導體激光了）。
    ４．可得到各種波長：利用周期表中的Ⅲ／Ｖ族，例如砷化鎵等化合物可制成二極管激光，當電流通過ｐｎ界面時，將因化合物的不同而發出各種可見激光及不可見激光。半導體激光只要改變組合元素的比例，便可改變不同的能量間隔，不同的能量間隔 ， 提供了不同的輸出波長，由于具有紅外線及紅色波長，在通信及量測上很容易與各種傳感器配合而得到很廣泛的用途。
    ５．機械性質方面：有堅固、體機輕的優點。

    唯因半導體激光打標機的光腔高度比波長還小，在共振腔中產生繞射的情形非常明顯，因此它的擴束角相當大，大到一般可視作點光源來處理，亦即在半導體激光前加一個光學透鏡，使其又成為平行光束。但是半導體水平和垂直兩方向的擴束角是不相等的，亦即它的光點是呈現著橢圓的形狀，因此尋常的一個透鏡并無法使其能夠產生一個正圓的平行光束，唯有藉助或全息光學組件，才能得到一個近似正圓的平行光束。由于半導體激光指向性不如 He-Ne 激光， 因此精密度稍遜。


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