三菱IGBT模塊CM1400DUC-24NF CM900DUC-24NF CM1000DUC-34NF
概述：[中介]最新的CSTBTTM硅片技術(shù)帶來：杰出的短路魯棒性 - 降低了柵極電容 - 低VCE(sat) Vs. Eoff 新的緊湊型封裝良好的匹配液體冷卻多孔型端子使得接觸阻抗更低，實現(xiàn)更可靠的長期電氣連接端子孔徑與安裝定位孔徑一
第五代MPD系列
最新的CSTBTTM硅片技術(shù)帶來：杰出的短路魯棒性 - 降低了柵極電容 - 低VCE(sat) Vs. Eoff 新的緊湊型封裝良好的匹配液體冷卻多孔型端子使得接觸阻抗更低，實現(xiàn)更可靠的長期電氣連接端子孔徑與安裝定位孔徑一致不同高度的DC端子――直接連接層壓式母線棒
產(chǎn)品型號 參數(shù)說明
CM900DUC-24NF 2單元，900A/1200V
CM1400DUC-24NF 2單元，1400A/1200V
CM1000DUC-34NF 2單元，1000A/1700V
最新的CSTBTTM硅片技術(shù)帶來：杰出的短路魯棒性 - 降低了柵極電容 - 低VCE(sat) Vs. Eoff 新的緊湊型封裝良好的匹配液體冷卻多孔型端子使得接觸阻抗更低，實現(xiàn)更可靠的長期電氣連接端子孔徑與安裝定位孔徑一致不同高度的DC端子――直接連接層壓式母線棒
產(chǎn)品型號 參數(shù)說明
CM900DUC-24NF 2單元，900A/1200V
CM1400DUC-24NF 2單元，1400A/1200V
CM1000DUC-34NF 2單元，1000A/1700V
- mc3065m發(fā)布的信息
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- 三菱IGBT模塊CM300DY-24S CM400C1Y-24S CM450DY-24S CM600DY-24S
- [中介]采用第6代IGBT硅片技術(shù)，損耗低硅片結(jié)溫可高達(dá)175°C 硅片運行溫度最高可達(dá)150°C 內(nèi)部集成NTC測溫電阻封裝兼容第五代A/NF系列模塊...
- 三菱IGBT模塊 CM200DY-24A CM300DY-24A CM150DY-34A CM300DY-34
- [中介]采用CSTBTTM硅片技術(shù)飽和壓降低、短路承受能力強、驅(qū)動功率小比同等級其他溝槽型IGBT電流輸出能力高10%，在相同輸出電流時ΔT(j-f)低15% 成本優(yōu)化的封裝內(nèi)置導(dǎo)熱性能優(yōu)異的氮化鋁(AlN)絕緣基層，熱阻小模塊...
